Kioxia ไม่รอช้าตามรอย Western Digital เปิดตัวหน่วยความจำ 3D QLC NAND ขนาด 2Tb ด้วยเทคโนโลยี BiCS8 แบบ 218 ชั้น และความเร็วอินเทอร์เฟซ 3,600 MT/s ทำให้เป็นหนึ่งในหน่วยความจำแฟลชที่เร็วที่สุดในโลก นอกจากประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้น อุปกรณ์ใหม่นี้ยังมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานในการเขียนข้อมูลดีขึ้นถึง 70% เมื่อเทียบกับ 3D QLC รุ่นก่อนหน้า
นอกจาก 3D QLC NAND ขนาด 2Tb ที่มีความเร็วสูง Kioxia ยังมีไม้เด็ดอีกอย่างหนึ่ง นั่นคือ 3D QLC NAND ขนาด 1Tb ที่ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพให้เหมาะสมกับการใช้งาน โดยมีความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบเรียงลำดับเร็วขึ้น 30% และลดความหน่วงในการอ่านข้อมูลลง 15% Kioxia ระบุว่าอุปกรณ์ 3D QLC ขนาด 1Tb นี้จะถูกนำไปใช้ใน SSD สำหรับเครื่องลูกข่ายและอุปกรณ์พกพา ซึ่งจะมอบประสิทธิภาพที่เทียบเท่ากับ 3D TLC NAND
ด้วยความจุที่เพิ่มขึ้นของ 3D QLC NAND ขนาด 2Tb จะช่วยให้ลูกค้าของ Kioxia สามารถสร้าง SSD ความจุสูงในขนาดที่เล็กกะทัดรัดได้ ตัวอย่างเช่น แพคเกจแบบ 16-Hi stacked (ขนาด 11.5 x 13.5 x 1.5 มม.) สามารถสร้าง SSD M.2-2230 ขนาด 4TB หรือ SSD M.2-2280 ขนาด 16TB ซึ่งจะสร้างประโยชน์อย่างมากให้กับลูกค้าของ Kioxia ที่ผลิต SSD
Kioxia อดีตชื่อ Toshiba Memory คือผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลชชั้นนำระดับโลก ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำและผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง เช่น ชิปหน่วยความจำ NAND Flash, SSD (Solid State Drive) และผลิตภัณฑ์อื่นๆ ที่ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช
Kioxia มีความเชี่ยวชาญในการพัฒนาเทคโนโลยี 3D NAND Flash ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่ช่วยเพิ่มความจุของหน่วยความจำแฟลช และยังมีส่วนร่วมในการพัฒนามาตรฐาน NVMe (Non-Volatile Memory Express) ซึ่งเป็นอินเทอร์เฟซความเร็วสูงสำหรับ SSD
ผลิตภัณฑ์ของ Kioxia ถูกนำไปใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์หลากหลายประเภท เช่น สมาร์ทโฟน, คอมพิวเตอร์, เซิร์ฟเวอร์, อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล และอื่นๆ โดย Kioxia มุ่งมั่นที่จะพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชอย่างต่อเนื่อง เพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของตลาด และสร้างสรรค์ผลิตภัณฑ์ที่ทันสมัยและมีประสิทธิภาพสูง
